ナレッジセンター

Back to overview
Events
10月 20 - 10月 25

LayTec, 丸文, STR, PANalytical
半導体結晶の高品質化に関する技術セミナー
≪東京・名古屋≫

昨今、低消費電力、低コストを目的とした高効率半導体デバイスの開発では、基板材料やエピタキシャル半導体結晶のさらなる高品質化が求められています。 これら結晶中の歪みや欠陥を得られる各種評価技術を駆使して多角的に評価し、制御する事は益々重要になると推測されます。 本セミナーでは、シミュレーション、in-situモニタ及びXRD分析最新技術の結晶の高品質化に寄与する活用事例を基礎から網羅し、東京大学の杉山先生の特別講演では Si上に成膜した窒化物試料を例に各社技術の複合評価について紹介します。終了後には、広い分野の研究者の方々とご交流頂けるよう、懇親会を兼ねた技術交流会を開催します。

バルク結晶およびエピタキシャル成長に従事されている、企業/研究機関/大学(学生様歓迎します)ご所属の皆様、お誘い合わせの上、お気軽にお申し込み下さい。

《東京会場》
 日時:10月20日(金) 開催時間 10:00~18:00 (受付開始 9:30~) 懇親会 18:00~
 会場:丸文株式会社 本社5F 大会議室 (地下鉄日比谷線小伝馬町駅徒歩2分)
    東京都中央区日本橋大伝馬町8-1 丸文ダイアビル (※1Fは東京三菱銀行)      
《名古屋会場》
 日時:10月25日(水) 開催時間 10:00~18:00 (受付開始 9:30~) 懇親会 18:00~
 会場:ウインクあいち11階 1103会議室 (名古屋駅徒歩5分)
 愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38
 
 定員:各会場 80名 (定員に達し次第締め切りとさせて頂きます。) 参加費:無料 

■セミナー講演タイトル
 <シリコンおよび SiC の部>
 ・Ⅳ族半導体(Si, SiC, SiGe, Ge)でのその場観察 <LayTec AG>
 ・シリコン、及びSiC結晶成長に関する熱流体解析 <STR Japan>

 <III-V 族および窒化物の部>
 ・その場観察によるさまざまな応用例の紹介 <LayTec AG>
 ・AUTOMATED ANALYSIS OF X-RAY RECIPROCAL SPACE MAPS
 FOR THE CHARACTERIZATION OF GAN BASED HEMT STRUCTURES <パナリティカル>
 ・MOCVD法によるIII-V族、及び窒化物の成長・歪に関する数値解析の紹介 <STR Japan>
 ・(特別講演)AlN中間層によるGaN on Si歪み制御の解析例
                     <東京大学先端科学技術研究センター 教授 杉山 正和>

  ◎プログラム詳細は下記ダウンロードボタンよりご確認下さい。

《参加お申込み方法》
◎Email の場合:
タイトルに「半導体技術セミナー」とご記載頂き、本文に一名様毎に①ご希望会場名(東京又は名古屋)② 会社名、部署名 / 大学名、講座名 ③ ご住所 ④ 氏名 ⑤ 電話番号 ⑥ emailアドレス ⑦懇親会への参加可否をご記入の上 info.jpn@panalytical.com へお申込みください。
 
◎FAX の場合:
上記ダウンロードボタンよりプログラム・申込用紙をダウンロード頂き、申込用紙に必要事項をご記入の上、下記FAX番号までご送信下さい。
  FAX:03-5733-9751
※1社様より複数名のご参加をご希望される場合は、Email,FAXともに、それぞれのお名前、部署名、ご連絡先をご記入ください。お申込み受付後、確認の連絡をお送りいたしますので、Eメールアドレスのご記載をお願いします。

詳細、ご不明な点は下記電話番号又はe-mailアドレスへお問い合わせください。(担当:瀬尾)
 お問合わせ:TEL:03-5733-9770
 e-mail:info.jpn@panalytical.com

  • LayTec, 丸文, STR, PANalytical
    半導体結晶の高品質化に関する技術セミナー
    ≪東京・名古屋≫
  • 《東京会場》10/20 丸文株式会社 大会議室 
    《名古屋会場》 10/25 ウィンクあいち
  • 20 10月 2017, 00:00 - 25 10月 2017, 00:00
  • UTC+09:00 Japan

Share this article